Investigadores chinos han desarrollado PoX, un dispositivo de memoria flash de picosegundos, con una velocidad de programa sin precedentes de 400 picosegundos, equivalente a 25 mil millones de operaciones por segundo, superando así los límites de velocidad existentes en el almacenamiento de información. Este dispositivo de almacenamiento de carga semiconductor, el más rápido conocido, tendrá importantes aplicaciones para facilitar el funcionamiento ultrarrápido de grandes modelos de IA.
Versión en inglês
Chinese researchers have developed a picosecond-level flash memory device, PoX, with an unprecedented program speed of 400 picoseconds, equivalent to operating 25 billion times per second, shattering the existing speed limits in information storage. This fastest-known semiconductor charge storage device will have important application values to assist the ultra-fast operation of large AI models.
Chinese researchers have developed a picosecond-level flash memory device, PoX, with an unprecedented program speed of 400 picoseconds, equivalent to operating 25 billion times per second, shattering the existing speed limits in information storage. This fastest-known… pic.twitter.com/2A0PIKfasQ
— China Science (@ChinaScience) April 17, 2025
